• Springer
  • 2018
  • 0
  • MY
  • Udgave er ikke defineret
  • 9789811065507

Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor

0
Provides analytical models for lateral electric field and length of velocity saturation region of graphene nanoribbon based field effect transistors (GNR-based FETs) Discusses an analytical model for the ionization coefficient and breakdown voltage of GNR-based FETs Presents simulations for GNR-based FETs in terms of breakdown voltage and calculate
s the maximum operating voltage of the typical GNRFETs at different conditions
521,88 kr.

Når du har købt e-bogen, modtager du et link på e-mail til programmet Vital Source, hvor du kan læse din e-bog.

Linket skal aktiveres indenfor 6 uger fra købsdagen. Hvis du ikke tidligere har købt e-bøger, som skal læses via Vital Source, så læs mere her.